Universitas Scientiarum

Efeito Hall e estudo de foto voltagem superficial transiente (SPV) em películas delgadas de Cu₃BiS₃

Se presentan las propiedades eléctricas del compuesto Cu3BiS3 depositado por co-evaporación. Este es un nuevo compuesto que puede tener propiedades adecuadas para ser utilizado como capa absorbente en celdas solares. Las muestras fueron caracterizadas a través de medidas de efecto Hall y fotovoltaje superficial transiente (SPV). A través de medidas de efecto Hall se encontró que la concentración de portadores de carga n es del orden de 10(16) cm-3 independiente de la relación de masas de Cu/Bi. También se encontró que la movilidad de este compuesto (μ del orden de 4 cm²V -1s-1) varía de acuerdo con los mecanismos de transporte que la gobiernan en dependencia con la temperatura. A partir de las medidas de SPV se encontró alta densidad de defectos superficiales, defectos que son pasivados al superponer una capa buffer sobre el compuesto Cu3BiS3.

Here, we present the electrical properties of the compound Cu3BiS3 deposited by co-evaporation. This new compound may have the properties necessary to be used as an absorbent layer in solar cells. The samples were characterized by Hall effect and transient surface photovoltage (SPV) measurements. Using Hall effect measurements, we found that the concentration of n charge carriers is in the order of 10(16) cm³ irrespective of the Cu/Bi mass ratio. We also found that the mobility of this compound (μ in the order of 4 cm² V-1s-1) varies according to the transport mechanisms that govern it and are dependent on temperature. Based on the SPV, we found a high density of surface defects, which can be passivated by superimposing a buffer layer over the Cu3BiS3 compound.

Apresentam-se as propriedades elétricas do composto Cu3BiS3 depositado por co-evaporação. É um composto novo que pode ter as propriedades adequadas para ser utilizado como capa absorvente em células solares. As amostras foram caracterizadas através de medidas do efeito Hall e foto voltagem superficial transiente (SPV). Através de medidas do efeito Hall se encontro que a concentração de portadores de carga n é da ordem de 10(16) cm³ independentemente da relação de massas de Cu/Bi. Também se encontrou que a mobilidade des composto (μ da ordem de 4 cm²V -1s-1) varia de acordo com os mecanismos de transporte que a governam em dependência com a temperatura. Partindo das medidas de SPV se encontrou uma alta densidade de defeitos superficiais, defeitos que são passivados a sobrepor uma capa buffer sobre o composto Cu3BiS3.

Processos Hopping através do modelo de difusão em materiais nanocristalinos utilizados para aplicações fotovoltaicas

Se presentan los modelos de hopping de rango variable (variable range hopping; VRH), vecinos cercanos (nearest neighbor hopping; NNH) y barreras de potencial presentes en las fronteras de grano; como mecanismos de transporte eléctrico predominantes en los materiales semiconductores para aplicaciones fotovoltaicas. Las medidas de conductividad a oscuras en función de temperatura fueron realizadas para región de bajas temperaturas entre 120 y 400 K con Si y compuestos Cu3BiS2 y Cu2ZnSnSe4. Siguiendo la teoría de percolación, se obtuvieron parámetros hopping y la densidad de estados cerca del nivel de Fermi, N(E F), para todas las muestras. A partir de los planteamientos dados por Mott para VRH, se presentó el modelo difusional, que permitió establecer la relación entre la conductividad y la densidad de estados de defecto o estados localizados en el gap del material. El análisis comparativo entre modelos, evidenció, que es posible obtener mejora hasta de un orden de magnitud en valores para cada uno de los parámetros hopping que caracterizan el material.

Here, we present variable range hopping (VRH) models, nearest neighbor hopping (NNH) and potential barriers present at the grain boundaries, as well as mechanisms of electrical transport predominant in semiconductor materials for photovoltaic applications. We performed dark conductivity measures according to temperature for low temperature regions between 120 and 400 K in Si and Cu3BiS2 and Cu2ZnSnSe4 compounds. Using the percolation theory, we obtained hopping parameters and the density of states near the Fermi, N(E F) level for all samples. Using the approach by Mott for VRH, we obtained the diffusion model, which established the relationship between conductivity and density of defect states or localized gap states of the material. The comparative analysis between models evidenced that it is possible to obtain improvement of an order of magnitude in the values of each of the hopping parameters that characterize the material.

Apresentam-se os modelos de hopping de categoria variável (variable range hopping; VRH), vizinhos próximos (nearest neighbor hopping, NNH) e barreiras de potenciais presentes nas fronteiras de grãos; como mecanismo de transporte elétrico predominantes nos materiais semicondutores para aplicações fotovoltaicas. As medidas de condutividade no escuro em função da temperatura foram realizadas para região de baixas temperaturas entre 120 e 400 K com Si e compostos Cu3BiS2 e Cu2ZnSnSe4. Seguindo a teoria da percolação obtiveram-se parâmetros hopping e a densidade de estados próximos do nível Fermi[BO1] N(E F) para toda a amostra. A partir das abordagens seguidas por Mott para VRH, apresentou-se o modelo de difusão, que permitiu estabelecer a relação entre a condutividade e a densidade de estados de defeito ou estados localizados no gap do material. A análise comparativa dos modelos mostrou que é possível obter melhoria até de uma amplitude de magnitude em valores para cada um dos parâmetros hopping que caracterizam o material.

Estructura cristalina do composto Cu₂ZnSnSe₄ depositado por co-evaporação: análise comparativa estannita-kesterita

Se fabricaron películas del compuesto cuaternario Cu2ZnSnSe4 por el método de co-evaporación de los precursores cobre, estaño y seleniuro de zinc en presencia de una atmosfera de selenio. Las muestras fueron depositadas sobre sustratos de vidrio tipo soda lime. A partir de las medidas de difracción de rayos X se estableció, que la fase que caracteriza el compuesto es sensible a cambios en los parámetros de síntesis afectando la estructura del material. Se detallaron propiedades estructurales como distancia interplanar, planos cristalinos, tamaños del cristalito y posiciones atómicas de los elementos del compuesto; a través de la comparación de las estructuras estannita y kesterita asociadas al crecimiento del Cu2ZnSnSe4. El análisis comparativo entre las estructuras, permitió determinar la tipo estannita como la que cristaliza el material. Usando el método Rietveld y programas de cómputo se logró simular la estructura estannita obtenida; evidenciando diferencias sutiles con la estructura kesterita.

We fabricated quaternary compound, Cu2ZnSnSe4, films by co-evaporation of copper, tin and zinc selenide precursors in a selenium atmosphere and deposited the samples on soda-lime glass substrates. From the x-ray diffraction data, we established that the phase that characterizes the compound is sensitive to changes in the synthesis parameters and affects the structure of the material. Through a comparison of stannite and kesterite structures associated with Cu2ZnSnSe4 growth, we detailed structural properties such as interplanar distance, crystal planes, crystallite size and the atomic position of the elements of the compound. A comparative analysis of the structures revealed that the stannite is the crystallizing material. Using the Rietveld method and software we were able to simulate the stannite structure establishing subtle differences with the kesterite structure.

Fabricaram-se filmes do composto Cu2ZnSnSe4 pelo método de co-evaporação dos percursores cobre, estanho e seleneto de zinco na presença de uma atmosfera de selênio. As amostras foram depositadas sobre substratos de vidro tipo soda lime. A partir das medidas de difração de raios X se estabeleceu que a fase que caracteriza o composto é sensível a alterações nos parâmetros de síntese afetando a estrutura do material. Detalharam-se propriedades estruturais como distancia interplanar, planos cristalinos, tamanhos do cristalito e posições atómicas dos elementos do composto; através da comparação das estruturas estannita e kesterita associadas ao crescimento do Cu2ZnSnSe4. A análise comparativa entre as estruturas, permitiu determinar o tipo Estannita como a que cristaliza o material. Utilizando o método Rietveld e programas de computação conseguiu-se simular a estrutura estannita obtida; mostrando diferenças subtis com a estrutura kesterita.

Calculou-se de constantes óticas de películas finas de Cu₃BiS₃ através do método de Wolfe

Se calculó la obtención de las constantes ópticas usando el método de Wolfe. Dichas contantes: coeficiente de absorción (α), índice de refracción (n) y espesor de una película delgada (d), son de importancia en el proceso de caracterización óptica del material. Se realizó una comparación del método del Wolfe con el método empleado por R. Swanepoel. Se desarrolló un modelo de programación no lineal con restricciones, de manera que fue posible estimar las constantes ópticas de películas delgadas semiconductoras, a partir únicamente, de datos de transmisión conocidos. Se presentó una solución al modelo de programación no lineal para programación cuadrática. Se demostró la confiabilidad del método propuesto, obteniendo valores de α = 10378.34 cm-1, n = 2.4595, d =989.71 nm y Eg = 1.39 Ev, a través de experimentos numéricos con datos de medidas de transmitancia espectral en películas delgadas de Cu3BiS3.

Using the Wolfe method, we calculated the procurement of optical constants. These constants, absorption coefficient (α), refraction index of (n) and thin film thickness (d ), are significant in the optical characterization of the material. We compared the Wolfe method with the method employed by R. Swanepoel. To estimate the optical constants of semiconductor thin films, we developed a constrained nonlinear programming model, based solely, on known transmission data. Ultimately, we presented a solution to this nonlinear programming model for quadratic programming. Through numerical experiments and transmittance spectral data of Cu3BiS3 thin films, we obtained values of a= 10378.34 cm-1, n = 2.4595, d =989.71 nm and Eg= 1.39 Ev, demonstrating the reliability of the proposed method.

Calculou-se a obtenção de constantes óticas utilizando o método de Wolfe. Estas constantes: coeficiente de absorção (α), índice de refração (n) e espessura de uma película fina (d), são importantes no processo de caracterização ótica do material. Realizou-se uma comparação do método de Wolfe com o método utilizado por R. Swanepoel. Desenvolveu-se um modelo de programação não linear com restrições, de modo que foi possível estimar as constantes óticas de películas finas semicondutores, a partir unicamente, de dados de transmissão conhecidos. Apresentou-se uma solução ao modelo de programação não linear para programação quadrática. Mostrou-se a confiabilidade do método proposto, obtendo valores de α = 10378.34 cm-1, n = 2.4595, d =989.71 nm y Eg = 1.39 Ev, através de experiências numéricas com dados de medidas de transmissão espectral em películas finas de Cu3BiS3.

Indícios teóricos sobre a relação entre dinâmica de montagem e geometria de pirogalol[4]arenos

Los pirogalol[4]arenos son macrociclos con gran potencial como bloques de construcción de nanocápsulas. Los dímeros precursores del 2,8,14,20-tetrametilpirogalol[4]areno y del 2,8,14,20-tetrafenilpirogalol[4]areno se estudiaron teóricamente para obtener entendimiento acerca de la dinámica de ensamble de estos compuestos. Las curvas de energía potencial a lo largo del ángulo de torsión del enlace R-pirogalol)CH-(R-pirogalol) de los dímeros han sido calculadas al nivel de teoría B3LYP/6-311G(d,p). Se encontró que las barreras de energía para rotación libre en torno al enlace seleccionado son 0.00133 Hartrees para el dímero con sustituyentes alquílicos y 0.77879 Hartrees para aquél con sustituyentes arílicos. Estos valores implican que la rotación libre en torno al enlace seleccionado es permitida para el primer dímero pero es prohibida para el segundo. Puesto que las orientaciones del sustituyente y el anillo de pirogalol en torno a este enlace posiblemente determinan la geometría de la estructura final, parece razonable proponer que el pirogalol[4]areno con sustituyentes alquílicos más probablemente adoptará una geometría de corona, mientras que el pirogalol[4]areno con sustituyentes arílicos mas probablemente adoptará una geometría de silla. Estas previsiones están en acuerdo con evidencia experimental la cual demuestra que la geometría de los pirogalol[4]arenos es dependiente del tipo de sustituyentes presentes en ellos.

O pyrogalol [4]arenes são macrocycles com grande potencial como blocos de construção da nanocapsules. Os dímeros precursores de 2,8,14,20-tetrametilpirogalol[4]arene e 2,8,14,20-tetrafenilpirogalol[4]arene foram estudados teoricamente para obter uma compreensão sobre a dinâmica do monte destes compostos. As curvas de energia potencial ao longo do ângulo de torção da link R-pkogdol)CH-(R-pirogalol) dos dímeros foram calculados ao nível da teoria B3LYP/ 6-311G(d,p). Verificou que as barreiras de energia da rotação livre em torno do link selecionado é 0,00133 Hartrees para ao dímero com substituintes alquil e 0,77879 Hartrees para que com substituintes aril. Esses valores implicam que a livre rotação em torno da link seleccionado é permitido para o primeiro dímero mas é proibida para o segundo. Uma vez que a orientação dos substituintes e o anel de pyrogalol em torno deste link possivelmente determinar a geometria da estrutura final, parece razoável sugerir que o pyrogalol[4]arene com substituintes alquil mais provavelmente vai ter uma geometria da copa, enquanto o pyrogalol[4]arene com substituintes resíduo mais provavelmente irá ter uma geometría de cadeira. Estas previsões estão de acordo com evidências experimentais que demonstram que a geometria do pyrogalol[4]arenes é dependente do tipo de substituintes presentes nos mesmos.

Pyrogallol[4]arenes are macrocycles with high potential as building blocks for nanocapsules. We theoretically studied the dimeric precursors of 2,8,14,20-tetramethylpyrogaUol[4]arene and 2,8,10,14-tetraphenylpyrogallol[4] arene to understand the dynamics of assembly of these compounds, and calculated the potential energy curves along the torsion angle of the (R-pyrogallol)CH-(R-pyrogallol) dimeric bond at the B3LYP/6-311G(d,p) level of theory. We found that the energy barriers for free rotation around the selected bond are 0.00133 Hartrees for the alkyl-substituted dimer and 0.77879 Hartrees for the aryl-substituted dimer. These values imply that the free rotation around the selected bond exists for the first dimer but not for the second one. Because the orientation of the substituent and the pyrogallol ring around this bond are likely to determine the geometry of the final structure, we propose that the alkyl-substituted compound will most likely adopt a crown-shaped geometry whereas the aryl-substituted compound will adopt a chair-shaped geometry. These predictions concur with experimental evidence, which shows that the geometry of pyrogallol[4]arenes depends on the substituents attached to them.

Microestrutura e propriedades mecânicas do aço AISI 1016 calibrado processado por ECAP

Se utilizó el proceso de presión en canal angular de sección constante para deformar un acero de bajo carbono calibrado, con el fin de evaluar microestructura y propiedades mecánicas. A su vez, se identificó la posibilidad de mejorar propiedades más allá del proceso de calibrado. El material utilizado fue un acero de bajo carbono calibrado de composición 0.16 % C, 0.8 % Mn, 0.2 % Si, 0.02 % P, 0.012 % S y balance Fe. El proceso se realizó a temperatura ambiente con cuatro pasadas usando la ruta Bc, con una deformación equivalente de ∼0.6 en cada pasada. Se estudió la evolución de la estructura antes y después de la deformación usando microscopía electrónica de barrido y difracción de rayos X y se evaluaron las propiedades mecánicas de microdureza y resistencia a la tensión. Se encontró un aumento leve de las propiedades mecánicas al aumentar el número de pasadas en el proceso. Los análisis mostraron cambios en la estructura ferrítica-perlítica original a través del refinamiento de los granos de ferrita y la deformación de la perlita.

Low carbon cold drawn steel was deformed using equal channel angular pressing to evaluate its mechanical properties and microstructure, while assessing the possibility of improving properties beyond the cold drawn process. We used low carbon cold drawn steel with a composition of 0.16% C, 0.8% Mn, 0.2% Si, 0.02% P, 0.012% S and Fe balance. The process was carried out at room temperature and four passes at route Bc with a deformation of ∼0.6 in each pass. Using scanning electron microscopy and x-ray diffraction, we evaluated the evolution of the structure before and after deformation as well as the mechanical properties of microhardness and tensile strength. A slight increase in the mechanical properties occurred when the number of passes was increased. There were changes in the original ferritic-pearlitic structure with the refinement of ferrite grains and pearlite deformation.

Utilizou-se o processo de pressão em canal angular de secção constante para deformar um aço de baixo carbono calibrado, com a finalidade de avaliar microestruturas e propriedades mecânicas. Assim, identificou-se a possibilidade de melhorar propriedades para além do processo de calibração. O material utilizado foi um aço de baixo carbono calibrado com a seguinte composição 0.16% C, 0.8% Mn, 0.2% Si, 0.02% P, 0.012% S e balance Fe. O processo realizou-se à temperatura ambiente com quatro passos utilizando a rota Bc, com uma deformação equivalente de ∼0.6 em cada passo. Estudou-se a evolução da estrutura antes e depois da formação utilizando microscopia electrónica de varrimento e difracção de rayos X e avaliaram-se as propriedades mecânicas de microdureza e resistência à tensão. Encontrou-se um aumento ligeiro das propriedades mecânicas ao aumentar o número de passos no processo. As análises mostraram alterações nas estruturas ferrítica-perlítica original a através do refinamento dos grãos de ferrita e a deformação da perlita.

Condução hopping em películas nano-cristalinas do composto CZTSe utilizado como capa absorvente em painéis solares

Se presentan propiedades eléctricas y de transporte en películas nanocristalinas del compuesto cuaternario Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) por método de co-evaporación física. Las muestras fueron crecidas sobre sustratos de vidrio soda-lime y variando en rango los parámetros de síntesis: masa de Cu y temperatura de sustrato. A partir de termopotencia a temperatura ambiente y de transmitancia espectral, se encontró que el material está caracterizado por conductividad tipo n y ancho de banda de energía prohibida de 1.7 eV, respectivamente. Las medias de conductividad eléctrica (región de bajas temperaturas; 90-200 K) mostraron que los procesos de conducción se realizan vía hopping de rango de variable entre estados extendidos. Los parámetros que caracterizaron éste mecanismo, energía de activación (Whopp) y rango hopping (Rhopp), fueron obtenidos mediante teoría de percolación y modelo difusional. Se obtuvo, que para las muestras CZTSe la densidad de estados de defecto cerca del nivel de Fermi del material, N(Ef), está alrededor de 3,403x10(18) cm-3 eV-1. Se presentó correlación entre parámetros de depósito y propiedades eléctricas. Se observó influencia de parámetros sobre formación de fases adicionales en el compuesto.

Here, we present electronic and transport properties of quaternary Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) nanocrystalline films fabricated by physical co-evaporation. The samples were grown on soda-lime glass substrates and synthesis parameter ranges, Cu mass and substrate temperature were varied. Using thermopower at room temperature and spectral transmittance we found that the material is characterized by n-type conductivity and forbidden energy bandwidth of 1.7 eV, respectively. Electrical conductivity means (low temperature region; 90-200 K) showed that conductivity processes occur via variable range hopping between extended states. We obtained the parameters characterizing this mechanism, activation energy (Whopp), and range hopping (Rhopp), by employing the percolation theory and diffusion model. The density of defect states near the Fermi level of the material, N (Ef) of the CZTSe samples is about 3,403x10(18) cm-3 eV-1. We found a correlation between deposition parameters and electrical properties and observed a parameter influence on the formation of additional phases in the compound.

Apresentam-se propriedades elétricas e de transporte em películas nano-cristalinas do composto quaternário Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) pelo método de co-evaporação física. As amostras foram crescidas sobre substratos de vidro soda-lime e variando a amplitude dos parâmetros de síntese: massa de Cu e temperatura do substrato. A partir de termo-potência a temperatura ambiente e de transmissão espectral, encontrou-se que o material está caracterizado pela condutividade tipo n e largura de banda de energia proibida de 1.7 eV, respetivamente. As medidas de condutividade elétrica (regiões de baixas temperaturas; 90-200 K) mostraram que os processos de condução se realizam via hopping de amplitude variável entre estados estendidos. Os parâmetros que caracterizaram este mecanismo, energia de ativação (Whopp) e amplitude hopping (Rhopp), foram obtidos mediante a teoria de percolação e o modelo de difusão. Obteve-se que, para as amostras CZTSe, a densidade de estados de defeito próximos do nível de Fermi do material, N(EF), está ao redor de, 3,403x10(18) cm-3 eV-1. Apresentou-se correlação entre parâmetros de depósito e propriedades elétricas. Observou-se influencia de parâmetros sobre a formação de fases no composto.

Modificação do processo de redução expansiva para a síntese de nanopartículas de ferro

La metodología de expansión reductiva ha sido exitosa en la síntesis de nanopartículas metálicas. Sin embargo, no hay reportes en la literatura respecto al uso de métodos de expansión para la producción de nanopartículas oxidadas. Se propuso una modificación en la aplicación de corriente de atmósfera oxidante durante el proceso de expansión reductiva. Mezclas de diferentes relaciones en peso de sales nitrogenadas de hierro y urea (agente expansor), fueron sometidas a choque térmico en un horno donde la sublimación súbita de la urea y las sales nitrogenadas, generaron una dispersión fina de material que entró en contacto con gases reductores. Durante esta sublimación se propició la formación de nanopartículas metálicas de hierro subsecuentemente oxidadas por la atmósfera oxidante reinante. Caracterización por medio de difracción de rayos X permitió concluir que el tipo de fase cristalina de las nanopartículas formadas es dependiente de la composición de los reactantes; por el contrario, la distribución de tamaño de partícula, área superficial y absorción de aceite no se ve fuertemente influenciados por dicha composición.

The reductive expansion method has been used successfully in the synthesis of metal nanoparticles. However, there are no reports regarding the use of expansion methods to produce oxidized nanoparticles. Here, we propose an adjustment to the current oxidizing atmosphere application during reductive expansion. Mixtures of different weight ratios of iron nitrogen salts and urea (blowing agent) were subjected to thermal shock in an oven; the sudden sublimation of the urea and nitrogen salts originated a fine dispersion of material that came into contact with reducing gases. During this sublimation, metallic iron nanoparticles were produced and subsequently oxidized by the prevailing oxidizing atmosphere. Through characterization using X-ray diffraction, we determined that the crystalline phase of the formed nanoparticles depends on the composition of the reactants. In contrast, particle size distribution, surface area and oil absorption are not strongly influenced by this composition.

A metodologia da expansão redutiva tem sido exitosa na síntese de nanopartículas metálicas. No entanto, não tem sido reportado na literatura respeito ao uso de métodos de expansão para a produção de nanopartículas oxidadas. Foi proposta uma modificação na aplicação da corrente de atmosfera oxidante durante o processo de expansão redutora. Mistura de diferentes relações em peso de sais nitrogenados de ferro e ureia (agente expansor), foram submetidas a choque térmico num forno onde a sublimação súbita da ureia e os sais nitrogenadas, geraram uma dispersão fina de material que entrou em contacto com gases redutores. Durante esta sublimação proporcionou-se a formação de nanopartículas metálicas de ferro subsequentemente oxidadas pela atmosfera oxidante reinante. Caracterização por meio de difração de raios-X permitiu concluir que o tipo de fase cristalina das nanoparticulas formadas é dependente da composição dos reagentes; pelo contrario, a distribuição do tamanho da partícula, área superficial e absorção de óleo não se vêm fortemente influenciados por dita composição.

Produção de nanopartículas de PLGA pelo método de emulsão e evaporação para encapsular N-Acetilcisteína (NAC)

Se fabricaron nanopartículas de copolímero de ácido láctico y glicólico (PLGA) de tamaños inferiores a 200 nm que atraparan y transportaran N acetilcisteína (NAC) en futuras aplicaciones como sistema de liberación de fármacos. Para esto se eligió el método de emulsión sencilla con evaporación, empleándose acetato de etilo como solvente, Pluronic F127® como tensoactivo, ultrasonido como medio para generar la emulsión y agua. Se estudió el efecto de parámetros entre la fase orgánica y acuosa, amplitud y tiempo de sonicación. Se encontraron nanopartículas de 114 nm, estables coloidalmente y que atraparon un 15% de NAC. Las condiciones encontradas fueron: relación de fase orgánica a acuosa de 1 a 5, amplitud del 60% y 60 s como tiempo de ultrasonido.

Lactic and glycolic acid (PLGA) copolymer nanoparticles of less than 200 nm were produced to trap and transport N acetylcysteine (NAC) to be used in future applications, in the field of drug delivery systems. To do this, we selected the simple emulsion and evaporation method, using ethyl acetate as a solvent, Pluronic F127® as a surfactant, water and used ultrasound to generate the emulsion. The effect of the parameters during the organic to the aqueous phase was assessed as well as the amplitude and sonication. We found nanoparticles of 114 nm that trapped colloidally stable 15% NAC; the ratio of organic to the aqueous phase was 1 to 5, the amplitude 60% and the ultrasound period was 60 s.

Fabricaram-se nanopartículas e copolímero de ácido láctico e glicólico (PLGA) de tamanhos inferiores a 200 nm que capturaram e transportaram N acetilcisteína (NAC) em futuras aplicações como sistema de libertação de fármacos. Para isto se selecionou o método de emulsão simples com evaporação, empregando-se acetato de etilo como solvente, Pluronic F127® como tensioativos, ultrasons como meio para produzir a emulsão de água. Estudou-se o efeito de parâmetros entre a fase orgânica e aquosa, amplitude e tempo de sonicação. Encontraram-se nanoparticulas de 114nm, estáveis coloidamente e que capturaram cerca de 15% de NAC. As condições encontradas foram: relação da fase orgânica a aquosa de 1 a 5, amplitude de 60% e 60s como tempo de ultrasons.