RASERO CAUSIL, D. A; PORTACIO LAMADRID, A. A    RODRIGUEZ, J. A. Efecto de la concentración de Ga sobre las propiedades electrónicas del CuIn_1-XGa_XSe₂. []. , 7, 1, pp.9-14. ISSN 0121-7488.

^les^aResumen Se reportan cálculos de propiedades electrónicas del compuesto CuIn_1-xGa_xSe₂ (x = 0,0; 0,2; 0,4; 0,6; 0,8; 1,0), usando el método Tight-Binding (TB) y Virtual Crystal Approximation (VCA). Se considera el caso ideal y con las distorsiones tetragonal (η) y aniónica (μ). En ambos casos, el CuIn_1-xGa_xSe₂ es un semiconductor directo en Γ, para todas las concentraciones. Se encontró que el Crystal Field Splitting (CFS) en el punto Γ depende principalmente de la distorsión tetragonal. El CFS es positivo para x < 0,32 y negativo para x > 0,32. Este comportamiento se debe a que cuando aumenta x, la celda unitaria se contrae, acercando el pseudoátomo (In,Ga) al átomo de Se.^len^aAbstract This paper reports some calculations of the electronic properties of CuIn_1-xGa_xSe₂ (x = 0.0, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1.0) compound, by using the Tight-Binding (TB) method and Virtual Crystal Approximation (VCA). It is considered the ideal case and with the tetragonal (η) and anionic (μ) distortions. In both cases, the CuIn_1-xGa_xSe₂ is a direct semiconductor at Γ, for all concentrations.It was found that the Crystal Field Splitting (CFS) at the Γ point depends mainly on the tetragonal distortion. The CFS is positive for x < 0,32 and negative for x > 0.32. This behavior is due that when x is increasing, the unit cell shrinks, approaching the pseudo-atom (In,Ga) to the Se atom.

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