RASERO, Diego A.; PORTACIO, Alfonso A.    SUESCUN, Daniel. Estructura Electrónica de GaAs y AlAs usando un Hamiltoniano Tight-Binding sp ³ s ^*. []. , 12, 2, pp.43-48.   29--2022. ISSN 0121-7488.  https://doi.org/10.19053/01217488.v12.n2.2021.12612.

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Calculamos los estados electrónicos en volumen para GaAs y AlAs en estructura Zinc-Blenda usando el método Tight-Binding (TB). El Hamiltoniano TB se construyó usando una base de orbitales s, p y s*. Los orbitales s* representan estados excitados con igual simetría de los orbitales s. Llevando a cabo la diagonalización numérica del Hamiltoniano, se determinaron las relaciones de dispersión para algunas direcciones de alta simetría de la primera zona de Brillouin (PZB), obteniendo un gap directo de 1.54 eV para GaAs y un gap indirecto de 2.26 eV para AlAs. Las densidades de estados totales (DOS) y parciales indican la presencia de orbitales s en la parte inferior de la banda de valencia (BV), orbitales p en la parte superior de la BV y en la parte inferior de la banda de conducción (BC), y orbitales s* en la parte superior de la BC. Nuestros resultados concuerdan bastante bien con otros reportes experimentales y teóricos.

We calculate the electronic states in volume for GaAs and AlAs in Zinc-Blenda structure using the Tight-Binding (TB) method. The TB Hamiltonian was constructed using a base of s, p and s* orbitals. The s* orbitals represent excited states with equal symmetry as the s orbitals. Carrying out the numerical diagonalization of the Hamiltonian, the dispersion relationships were determined for some directions of high symmetry of the first Brillouin zone (FBZ), obtaining a direct gap of 1.54 eV for GaAs and an indirect gap of 2.26 eV for AlAs. The total (DOS) and partial state densities indicate the presence of s orbitals in the lower part of the valence band (BV), p orbitals in the upper part of the BV and in the lower part of the conduction band (BC), and s* orbitals on top of BC. Our results agree quite well with other experimental and theoretical reports.

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