MESA, F; DUSSAN, A; PAEZ-SIERRA, B. A    RODRIGUEZ-HERNANDEZ, H. Efecto Hall y estudio de fotovoltaje superficial transiente (SPV) en películas delgadas de Cu₃BiS₃. []. , 19, 2, pp.99-105. ISSN 0122-7483.

Se presentan las propiedades eléctricas del compuesto Cu₃BiS₃ depositado por co-evaporación. Este es un nuevo compuesto que puede tener propiedades adecuadas para ser utilizado como capa absorbente en celdas solares. Las muestras fueron caracterizadas a través de medidas de efecto Hall y fotovoltaje superficial transiente (SPV). A través de medidas de efecto Hall se encontró que la concentración de portadores de carga n es del orden de 10¹⁶ cm^-3 independiente de la relación de masas de Cu/Bi. También se encontró que la movilidad de este compuesto (μ del orden de 4 cm²V ^-1s^-1) varía de acuerdo con los mecanismos de transporte que la gobiernan en dependencia con la temperatura. A partir de las medidas de SPV se encontró alta densidad de defectos superficiales, defectos que son pasivados al superponer una capa buffer sobre el compuesto Cu₃BiS₃.

: Transporte eléctrico; Cu₃BiS₃; fotovoltaje superficial transiente; defectos.

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