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Revista Facultad de Ingeniería Universidad de Antioquia
Print version ISSN 0120-6230
Abstract
URIBE-ALZATE, José Ignacio; OSORIO-VELEZ, Jaime Alberto; JARAMILLO-ISAZA, Franklin and CALLE-MONTOYA, Juan Esteban. Influencia de la potencia de deposición en las propiedades eléctricas y ópticas de películas delgadas de Sn 1-x O 2 Nb x obtenidas por pulverización catódica. Rev.fac.ing.univ. Antioquia [online]. 2016, n.80, pp.152-158. ISSN 0120-6230. https://doi.org/10.17533/udea.redin.n80a16.
En un sólido la buena conductividad eléctrica y la transparencia óptica parecen ser 2 propiedades contradictorias. Los materiales conductores son opacos, y los sólidos transparentes son aislantes eléctricos. La combinación de estas dos propiedades en un material lo hacen muy atractivo para una gran cantidad de aplicaciones optoelectrónicas. En este trabajo se realiza la caracterización estructural óptica y eléctrica de uno de los óxidos conductores transparentes más prometedores, el Sn1-xO2Nbx. Las películas fueron crecidas sobre sustratos de vidrio por la técnica de sputtering RF. Al cambiar la potencia de deposición se halló que la conductividad eléctrica de las películas crecía al aumentar la potencia de deposición, lo cual coincidía con un crecimiento preferencial de las películas en el plano (200). Todas las películas muestran una transmitancia mayor al 80 % en el rango visible.
Keywords : Pulverización catódica; películas delgadas; conductores transparentes.