Resumo

VALLEJO, William et al. Síntesis y caracterización de interfase de heterojuntura In(O;OH)S/AgInS₂. Tecnura [online]. 2014, vol.18, n.spe, pp.30-40. ISSN 0123-921X.  https://doi.org/10.14483/udistrital.jour.tecnura.2014.DSE1.a02.

En este trabajo presentamos estudios complementarios de películas delgadas de In(O;OH)S depositadas sobre películas delgadas de AgInS₂ para fabricar un sistema capa absorbente/capa buffer utilizado en celdas solares tipo tándem o celdas de juntura simple. Como se demostró en trabajos anteriores realizados por los autores, las capas de AgInS₂ crecieron por coevaporación de los metales precursores en un proceso de dos etapas; y las películas delgadas de In(O:OH)S se depositaron por baño químico. Las medidas de rayos X indican que las películas de AgInS2 crecen con estructura tipo calcopirita y las de In(O:OH)S con estructura policristalina. Las películas de AgInS₂ presentan conductividad tipo P, y de las medidas de transductancia se encontró un coeficiente de absorción alto (mayor a 104 cm-1), y un gap de 1.95 eV; las películas de In(O:OH)S presentaron un gap de 3.01 eV; el análisis morfológico indica que bajo estas condiciones de síntesis, las películas de In(O:OH)S recubren completamente la capa absorbente de AgInS₂. Finalmente, en este trabajo se aplicó la ecuación de Avrami-Erofeev para estudiar la tasa de crecimiento de las películas delgadas de In(O:OH)S sobre el substrato de AgInS₂. Los resultados indican que el sistema desarrollado puede utilizarse en celdas solares de juntura simple o multijuntura.

Palavras-chave : ventana óptica; AgInS2; In(O:OH)S; capa buffer; capa absorbente; película delgada; celdas solares.

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