Resumo

PULZARA-MORA, Álvaro; BERNAL-CORREA, Roberto; ACEVEDO-RIVAS, Álvaro  e  ROSALES-RIVERA, Andrés. DIFUSIVIDAD TÉRMICA DE MONO-CRISTALES DE GaSb Y Si(100). Momento [online]. 2015, n.51, pp.31-44. ISSN 0121-4470.

Resumen En este trabajo, reportamos la caracterización de monocristales de Si(100) y GaSb(111) utilizando espectroscopia Raman y fotoacóstica (principal interés) en configuración abierta y cerrada, para compuestos semiconductores III-V con estructura tipo zinc blenda. Los espectros Raman generalmente muestran dos picos, un pico a baja frecuencia correspondiente a modos fononicos TO y un pico en alta frecuencia correspondiente a modos fononicos LO. Un fuerte pico es mostrado en la position 226 cm^-1 y uno un poco más débil en 237 cm^-1, que son los modos TO y LO respectivamente, debido a la orientación cristalina del material. Con el fin de determinar la difusividad térmica de los materiales se utilizaron láseres con longitudes de onda de 650 nm y 535 nm. Los resultados de la difusividad térmica de los monocristales de Si y GaSb, obtenidos a partir del modelo de Rosencwaig y Gersho (RG) se analizaron en función de la orientación cristalográfica. Discutimos la recombinación no-radiactiva que se origina en la superficie y en el volumen del cristal, que contribuye a la señal fotoacústica, en términos del tipo de celda y de la línea de excitación.

Palavras-chave : Fotoacústica; Semiconductores; recombinación no radiactiva.

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