Abstract

JOYA, MIRYAM R.; BARBA, JOSE J.  and  PIZANI, PAULO S.. EFECTOS ESTRUCTURALES EN EL SEMICONDUCTOR INSB, POR LA APLICACIÓN DE DIFERENTES MÉTODOS DE PRESIÓN. Dyna rev.fac.nac.minas [online]. 2012, vol.79, n.175, pp.137-141. ISSN 0012-7353.

En este trabajo se estudia las modificaciones sufridas por el Antimoneto de Indio (InSb), crecido en la dirección [100], cuando es sometido a testes de micro-indentación mecánica, altas presiones hidrostáticas y presión por impacto. Los estudios topográficos y tomográficos de las muestras fueron hechos por medio de espectroscopia micro-Raman con diferentes longitudes de onda de la luz de excitación. El corrimiento de la posición de los fonones y el surgimiento de nuevos picos Raman permite el análisis tanto químico como estructural del sistema en estudio.

Keywords : Raman; presión; indentación; Insb; transformación estructural de fase..

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