Resumen

MORALES, Jheison Alejandro; RIOS-OLAYA, Manuel Eduardo  y  TIRADO-MEJIA, Liliana. Simulación por el método de Monte Carlo del crecimiento de películas epitaxiales de GaInAsSb. Dyna rev.fac.nac.minas [online]. 2014, vol.81, n.187, pp.184-192. ISSN 0012-7353.  https://doi.org/10.15446/dyna.v81n187.40991.

El estudio de la fabricación de películas semiconductoras por la técnica de Epitaxia en Fase Líquida a través de métodos de simulación es un importante soporte en la ingeniería de estos materiales pues permite determinar la influencia de condiciones de crecimiento sobre las propiedades de las películas epitaxiales, variando a voluntad ciertos parámetros que experimentalmente conllevan exigentes condiciones de crecimiento y altos costos. En este trabajo se presenta la simulación mediante tres diferentes métodos, del crecimiento epitaxial del material GaInAsSb con interesantes aplicaciones en dispositivos de generación de energía termofotovoltaica. Se utilizó la aproximación de sólido sobre sólido suponiendo que la celda unitaria contiene los cuatro elementos precursores en proporciones correspondientes a la estequiometría seleccionada. Se determina que el método de Monte Carlo cinético arroja los mejores resultados, mostrando una buena coincidencia entre la morfología de las películas simuladas con la de películas fabricadas por esta técnica experimental.

Palabras clave : Simulación Computacional; Monte Carlo Cinético; modelo de Ising; Epitaxia en Fase Líquida; GaInAsSb.

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