Resumo

RAHIM-GARZON, G. Patricia Abdel; RODRIGUEZ-MARTINEZ, Jairo Arbey; MORENO-ARMENTA, María Guadalupe  e  ESPITIA-RICO, Miguel José. Cálculo en primeros principios de las propiedades estructurales y electrónicas de la aleación YInN. Dyna rev.fac.nac.minas [online]. 2021, vol.88, n.217, pp.50-57.  Epub 09-Nov-2021. ISSN 0012-7353.  https://doi.org/10.15446/dyna.v88n217.88374.

Hemos estudiado las propiedades estructurales y electrónicas del YxIn1-xN en las concentraciones x = 0, ¼, ½, –, y 1 en las estructuras B1, B2, B3 y B4. Los calculos mostraron que para el Y0.75In0.25N en la estructura B1 el compuesto es energéticamente mas favorable. Se determinó que entre 0<x<~0.12 en la supercelda de (1×1×2) la estructura mas estable energéticamente es la fase B3. Adicionalmente entre ~0.12<x<~0.6 concentraciones x de Ytrio el compuesto es mas favorable energéticamente en la fase B4 y finalmente entre ~0.6<x<1 la fase mas estable es la B1. Adicionlamente se hallo que no existe transiciones de fase en las cuatro estructuras consideradas. La DOS y la estructura de bandas muestra que Y0.75In0.25N en las fases B1 y B3 presentan un comportamiento semiconductor con un gap de ~0.6 eV and ~0.7 eV, respectivamente mientras que Y0.75In0.25N en la fase B4 tiene un gap indirecto de ~0.8 eV.

Palavras-chave : DFT; YInN; supercelda; semiconductor; gap de energía.

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