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Ingeniería e Investigación

Print version ISSN 0120-5609

Abstract

MARTIN RODRIGUEZ, Eduardo  and  GONZALEZ R, Estrella. Nanoheteroestructuras de GaAs/AlGaAs. Simulación y aplicaciónen transistores de alta movilidad: simulation and application tures: on high mobility transistors. Ing. Investig. [online]. 2011, vol.31, n.1, pp.144-153. ISSN 0120-5609.

En este trabajo se analizan las características de la heteroestructura de GaAs/AlGaAs haciendo énfasis en las propiedades de la unión de ambos semiconductores. Cuando se unen dos materiales, con diferentes anchos en las bandas prohibidas, ocurre un confinamiento de portadores que se les puede describir como un gas de electrones bidimensional. DESSIS (Device Simulation for Smart Integrated Systems) es un programa de simulación que mediante modelos físicos y métodos numéricos robustos permite la simulación de dispositivos semiconductores y de heteroestructuras compuestas por elementos de los grupos III-V de la tabla periódica. Los resultados para diferentes dopajes y voltajes aplicados en la heteroestructura son presentados en este trabajo. Los transistores de alta movilidad (HEMT, High Electron Mobility Transistor) son una de las aplicaciones más importantes de las propiedades de las heteroestructuras, con frecuencias de trabajo en el rango de 30 a 300 GHz. La simulación de un ejemplo de estos transistores es presentada en este trabajo, lográndose una densidad de corriente máxima en el canal de 1 A/mm2 comparable con resultados reportados para transistores similares.

Keywords : HEMT; heteroestructuras; DESSIS; simulación.

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