Abstract

MENDOZA-ESTRADA, Víctor et al. Propiedades estructurales, elásticas, electrónicas y térmicas del InAs: Un estudio de densidad funcional. Rev. Fac. ing. [online]. 2017, vol.26, n.46, pp.81-91. ISSN 0121-1129.  https://doi.org/10.19053/01211129.v26.n46.2017.7320.

En esta investigación se realizaron cálculos de primeros principios en el marco de la teoría del funcional de la densidad (DFT), utilizando las aproximaciones LDA y GGA, con el fin de estudiar las propiedades estructurales, elásticas, electrónicas y térmicas del InAs en la estructura zinc blenda. Los resultados de las propiedades estructurales (α, B0, B'0) muestran un buen acuerdo con los resultados teóricos y experimentales reportados por otros autores. Con respecto a las propiedades elásticas, las constates elásticas (C11, C12 y C44), el coeficiente de anisotropía (A) y las velocidades del sonido ( V1 , V S1 y Vs2 ) predichas están acordes con los resultados reportados por otros autores. En contraste, el módulo de Shear (G), el módulo de Young (Y) y la razón de Poisson (v) presentan cierta discrepancia con respecto a los valores experimentales; sin embargo, los valores obtenidos son razonables. Por otro lado, se evidencia la tendencia de las aproximaciones LDA y GGA a subestimar el valor de la brecha de energía prohibida en los semiconductores. Las propiedades térmicas (V, B0, θD y Cv) del InAs, calculadas usando el modelo cuasi-armónico de Debye, son ligeramente sensibles a medida que aumenta la temperatura. De acuerdo con los criterios de estabilidad y el valor negativo de la entalpia de formación, el InAs es mecánicamente y termodinámicamente estable. Por lo tanto, este trabajo puede ser utilizado como referencia para estudios teóricos y experimentales basados en InAs.

Keywords : InAs; Parámetros estructurales; Propiedades térmicas; Semiconductores; Teoría del funcional de la densidad.

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