Resumo

MENDOZA-ESTRADA, Víctor et al. Propriedades estruturais, elásticas, eletrônicas e térmicas do InAs: Um estudo de densidade funcional. Rev. Fac. ing. [online]. 2017, vol.26, n.46, pp.81-91. ISSN 0121-1129.  https://doi.org/10.19053/01211129.v26.n46.2017.7320.

Nesta pesquisa realizaram-se cálculos de primeiros princípios no marco da teoria do funcional da densidade (DFT), utilizando as aproximações LDA e GGA, com o intuito de estudar as propriedades estruturais, elásticas, eletrônicas e térmicas do InAs na estrutura zinco blenda. Os resultados das propriedades estruturais (α, B0, B'0) mostram um bom ajuste com os resultados teóricos e experimentais reportados por outros autores. Com respeito às propriedades elásticas, as constantes elásticas (C11, C12 e C44), o coeficiente de anisotropia (A) e as velocidades do som (ys, Vsl e B0 ) preditas estão de acordo com os resultados reportados por outros autores. Em contraste, o módulo de Shear (G), o módulo de Young (Y) e a razão de Poisson (v) apresentam certa discrepância com respeito aos valores experimentais; porém, os valores obtidos são razoáveis. Por outro lado, evidencia-se a tendência das aproximações LDA e GGA a subestimar o valor da brecha de energia proibida nos semicondutores. As propriedades térmicas (V, B0, θD e Cv) do InAs, calculadas usando o modelo quase-harmônico de Debye, são ligeiramente sensíveis a medida que aumenta a temperatura. De acordo com os critérios de estabilidade e o valor negativo da entalpia de formação, o InAs é mecanicamente e termodinamicamente estável. Portanto, este trabalho pode ser utilizado como referência para estudos teóricos e experimentais baseados em InAs.

Palavras-chave : InAs; Teoria do funcional da densidade; Semicondutores; Parâmetros estruturais; Propriedades térmicas.

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