Resumen

MESA, F; DUSSAN, A; PAEZ-SIERRA, B. A  y  RODRIGUEZ-HERNANDEZ, H. Efeito Hall e estudo de foto voltagem superficial transiente (SPV) em películas delgadas de Cu₃BiS₃. Univ. Sci. [online]. 2014, vol.19, n.2, pp.99-105. ISSN 0122-7483.

Apresentam-se as propriedades elétricas do composto Cu₃BiS₃ depositado por co-evaporação. É um composto novo que pode ter as propriedades adequadas para ser utilizado como capa absorvente em células solares. As amostras foram caracterizadas através de medidas do efeito Hall e foto voltagem superficial transiente (SPV). Através de medidas do efeito Hall se encontro que a concentração de portadores de carga n é da ordem de 10¹⁶ cm³ independentemente da relação de massas de Cu/Bi. Também se encontrou que a mobilidade des composto (μ da ordem de 4 cm²V ^-1s^-1) varia de acordo com os mecanismos de transporte que a governam em dependência com a temperatura. Partindo das medidas de SPV se encontrou uma alta densidade de defeitos superficiais, defeitos que são passivados a sobrepor uma capa buffer sobre o composto Cu₃BiS₃.

Palabras clave : Transporte elétrico; Cu₃BiS₃; foto voltagem superficial transiente; defeitos.

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