Resumo

DUSSAN, A  e  MESA, F. Processos Hopping através do modelo de difusão em materiais nanocristalinos utilizados para aplicações fotovoltaicas. Univ. Sci. [online]. 2014, vol.19, n.2, pp.107-113. ISSN 0122-7483.

Apresentam-se os modelos de hopping de categoria variável (variable range hopping; VRH), vizinhos próximos (nearest neighbor hopping, NNH) e barreiras de potenciais presentes nas fronteiras de grãos; como mecanismo de transporte elétrico predominantes nos materiais semicondutores para aplicações fotovoltaicas. As medidas de condutividade no escuro em função da temperatura foram realizadas para região de baixas temperaturas entre 120 e 400 K com Si e compostos Cu₃BiS₂ e Cu₂ZnSnSe₄. Seguindo a teoria da percolação obtiveram-se parâmetros hopping e a densidade de estados próximos do nível Fermi[BO1] N(E_F) para toda a amostra. A partir das abordagens seguidas por Mott para VRH, apresentou-se o modelo de difusão, que permitiu estabelecer a relação entre a condutividade e a densidade de estados de defeito ou estados localizados no gap do material. A análise comparativa dos modelos mostrou que é possível obter melhoria até de uma amplitude de magnitude em valores para cada um dos parâmetros hopping que caracterizam o material.

Palavras-chave : Semicondutores; transporte hopping; modelo de difusão.

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