Abstract

SENA, N; MATEUS, H. M  and  DUSSAN, A. Conducción hopping en películas nanocristalinas del compuesto CZTSe usado como capa absorbente en celdas solares. Univ. Sci. [online]. 2014, vol.19, n.2, pp.147-152. ISSN 0122-7483.

Se presentan propiedades eléctricas y de transporte en películas nanocristalinas del compuesto cuaternario Cu₂ZnSnSe₄ (CZTSe) por método de co-evaporación física. Las muestras fueron crecidas sobre sustratos de vidrio soda-lime y variando en rango los parámetros de síntesis: masa de Cu y temperatura de sustrato. A partir de termopotencia a temperatura ambiente y de transmitancia espectral, se encontró que el material está caracterizado por conductividad tipo n y ancho de banda de energía prohibida de 1.7 eV, respectivamente. Las medias de conductividad eléctrica (región de bajas temperaturas; 90-200 K) mostraron que los procesos de conducción se realizan vía hopping de rango de variable entre estados extendidos. Los parámetros que caracterizaron éste mecanismo, energía de activación (Whopp) y rango hopping (Rhopp), fueron obtenidos mediante teoría de percolación y modelo difusional. Se obtuvo, que para las muestras CZTSe la densidad de estados de defecto cerca del nivel de Fermi del material, N(Ef), está alrededor de 3,403x10¹⁸ cm^-3 eV^-1. Se presentó correlación entre parámetros de depósito y propiedades eléctricas. Se observó influencia de parámetros sobre formación de fases adicionales en el compuesto.

Keywords : Hoppingn; propiedades de transporte; semiconductores.

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