Resumen

VALENCIA-BALVIN, Camilo; PEREZ-WALTON, Santiago  y  OSORIO-GUILLEN, Jorge M.. Cálculo de primeros principios de las propiedades electrónicas y dieléctricas de λ-Ta ₂ O ₅. TecnoL. [online]. 2018, vol.21, n.43, pp.43-52. ISSN 0123-7799.  https://doi.org/10.22430/22565337.1064.

Ta2O5 es un semiconductor de gap-ancho el cual tiene interesantes aplicaciones en comunicaciones en la región de las micro-ondas, principalmente está relacionado con la fabricación de filtros y resonadores, donde su tamaño es inversamente proporcional a la constante dieléctrica del material. Por este motivo, en este trabajo presentamos un estudio teórico a partir de la teoría de los funcionales de la densidad (usando PBEsol y el híbrido HSE06 para el funcional de intercambio-correlación) de las propiedades electrónicas y dieléctricas del modelo ortorrómbico (-Ta2O5. Aquí, encontramos que este modelo tiene un gap directo de 2.09 y 3.7 eV con PBEsol y HSE06, respectivamente. Además, la constante dieléctrica estática calculada es 51, en buen acuerdo con los valores reportados para otras fases de este semiconductor.

Palabras clave : Ta₂O₅; teoría de los funcionales de la densidad; PBEsol; HSE06; constante dieléctrica.

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