Resumen

MARTINEZ-VELASQUEZ, Nasly Y.  y  RODRIGUEZ-MARTINEZ, Jairo Arbey. Propiedades electrónicas y estructurales del Ga _1-x Cr _x As. Rev. acad. colomb. cienc. exact. fis. nat. [online]. 2018, vol.42, n.162, pp.26-31. ISSN 0370-3908.  https://doi.org/10.18257/raccefyn.516.

Mediante el uso de principios basados en la teoría del funcional de la densidad - DFT (Density Functional Theory) se calcularon las propiedades electrónicas y estructurales del compuesto Ga1-x Cr x As. Empleando el método de ondas planas y la aproximación de pseudopotenciales atómicos ultra suaves se resolvieron las ecuaciones de Kohn-Sham. Para la energía de intercambio y correlación se empleó la aproximación de gradiente generalizado, dentro de la parametrización de Perdew-Burke-Ernzerhof (PBE) tal como está implementada en el código computacional Quantum-Espresso. Al dopar GaAs con impurezas de Cr, el sistema exhibe un comportamiento tipo half-metallic. Dicho material puede ser usado en espintrónica.

Palabras clave : Propiedades electrónicas; DFT; QE; Ga _1-x Cr _X As.

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