Resumo

SARMIENTO CRUZ, Norma Diana et al. Propriedades físicas de nanoestruturas GaSb para aplicações em spintrônica. Rev.EIA.Esc.Ing.Antioq [online]. 2019, vol.16, n.31, pp.89-97. ISSN 1794-1237.  https://doi.org/10.24050/reia.v16i31.1272.

Neste trabalho, os filmes finos de GaSb foram preparados pelo método de pulverização catódica assistido por campo magnético em substratos de vidro e ITO (óxido de estanho de índio). Após os processos de recozimento foram realizados em condições de alto vácuo que evitam a incorporação de átomos de oxigênio (O) presentes na atmosfera. A partir de medições de difração de raios X (XRD), foi possível estabelecer uma estrutura semelhante ao Zenz Blende e as fases InO associadas ao substrato ITO. Os processos de recozimento mostraram uma melhoria significativa na cristalinidade do material sendo menos amorfa quando a temperatura de recozimento (Tr) foi de 673 K. Foi obtido um valor do intervalo de energia proibido variando de 0,75 a 0,85 eV em amostras de GaSb quando o Tr mudou entre 300 K e 673 K, respectivamente. As medições de microscopia eletrônica de varredura (SEM) e microscopia de força atômica (AFM) forneceram informações sobre a morfologia da superfície do material.

Palavras-chave : Sputtering; Blende zinco; nanoestruturas; spintrónica; filmes finos.

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