Abstract

SABAGHI, Masoud. Desempeño de Estabilidad de una Fuente Cuántica Cuadrada Extendida P-N-P-N TFET con Sustrato de Carburo de Silicio Mediante un Modelo Analítico Físico. Tecciencia [online]. 2020, vol.15, n.28, pp.28-35.  Epub Dec 17, 2020. ISSN 1909-3667.  https://doi.org/10.18180/tecciencia.28.3.

RESUMEN. En este documento, se desarrolla un modelo de estabilidad analítica para el transistor de efecto de campo de túnel PNPN de fuente extendida cuántica de forma cuadrada (PNPN TFET) con sustrato de carburo de silicio que incluye los efectos de la capacitancia de fuente de compuerta, capacitancia de drenaje de compuerta, resistencia efectiva de compuerta, constante de tiempo y transconductancia. Se ha utilizado un modelo de señal pequeña RF no cuantitativo y una estabilidad que se extrajo de las ecuaciones analíticas de sus parámetros Y. La expresión analítica obtenida para la estabilidad se compara con los resultados de la simulación del dispositivo y se encuentra que los resultados coinciden bien hasta 100 GHz. El rendimiento de estabilidad de un TFET P-N-P-N de fuente extendida cuántica con sustrato de carburo de silicio también se estudia analíticamente considerando el Pocket-Width y la variación de dopaje. Los resultados confirman que el modelo propuesto es preciso y adecuado para la fuente extendida cuántica de forma cuadrada P-N-P-N TFET en el régimen de alta frecuencia

Keywords : Modelos analíticos; No cuasi-estático (NQS); Fuente cuántica extendidad, Estabilidad; Carburo de silicio; P-N-P-N Transistor de efecto de campo de túnel (TFETP-N-P-N).

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