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<abstract abstract-type="short" xml:lang="en"><p><![CDATA[The characterization of devices that have as a physical principle the modifications of their geometrical structures such as the silicon membrane deflection demands that their deformations must be measured in a reliable and precise way. In this sense, a study of some sensor characterization techniques used today is done. Optical techniques are emphasized, mainly the interferometric technique, which was used to characterize silicon membranes, that were manufactured in the Microelectronics National Centre at Universidad Auntónoma de Barcelona and tested at the Electronics Department at Barcelona University.]]></p></abstract>
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</front><body><![CDATA[ <p align="center"><font size="4" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b>TÉCNICAS DE MEDIDA PARA PEQUEÑOS DESPLAZAMIENTOS</b></font></p>     <p align="center"><i><font size="4"><b><font size="3" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">MEASURING TECHNIQUES FOR MANOEUVRES</font></b></font></i></p>     <p align="center">&nbsp;</p>     <p align="center"><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b>JULIO    DUARTE</b>    <br>   </font><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><i>Universidad Pedagógica y     Tecnológica de Colombia Seccional Duitama,</i> <i>Boyacá,       <a href="mailto:julioenriqued1@yahoo.com">julioenriqued1@yahoo.com</a></i></font></p>     <p align="center"><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b>FLAVIO FERNÁNDEZ</b>    <br> </font><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><i>Universidad Pedagógica y Tecnológica de  Colombia Seccional Duitama,</i> <i>Boyacá, <a href="mailto:flaviofm1@gmail.com">flaviofm1@gmail.com</a></i></font></p>     <p align="center"><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b>MAURICIO MORENO SERENO</b>    <br> </font><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><i>Departamento de Electrónica, Facultad de Física y Química, Universidad. de Barcelona, España, <a href="mailto:moreno@el.ub.es">moreno@el.ub.es</a></i></font></p>     <p align="center">&nbsp;</p>     ]]></body>
<body><![CDATA[<p align="center"><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b>Recibido para marzo 23 de 2008 aceptado junio 18 de  2008, versión final julio 17 de 2008</b></font></p>     <p>&nbsp;</p> <hr>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b>RESUMEN:</b> La caracterización de  dispositivos que tienen como principio físico la modificación de su estructura  geométrica, tal como la deflexión de las membranas de Si, exige que sus  deformaciones sean establecidas de una manera fiable y precisa. En este sentido, se hace un análisis de  algunas técnicas de caracterización de sensores en uso actualmente. Las  técnicas ópticas son las más analizadas, especialmente la técnica  interferométrica, utilizada para caracterizar membranas neumáticas de Si  construidas en el Centro Nacional de Microelectrónica, de   la Universidad Autónoma  de Barcelona, y caracterizadas en el Departamento de Electrónica de la  Universidad de Barcelona, Barcelona, España. </font></p>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b>PALABRAS  CLAVE</b>:  Membrana, neumática, interferometría, infrarrojo, piezoresistivo.</font></p>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b>ABSTRACT: </b>The characterization of devices that have as a  physical principle the modifications of their geometrical structures such as  the silicon membrane deflection demands that their deformations must be measured  in a reliable and precise way. In this sense, a study of some sensor  characterization techniques used today is done. Optical techniques are  emphasized, mainly the interferometric technique, which was used to  characterize silicon membranes, that were manufactured in the Microelectronics  National Centre at Universidad Auntónoma de Barcelona and tested at the  Electronics Department at Barcelona University.</font></p>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b>KEY  WORDS: </b>Membrane, pneumatic, interferometer, infrared,  and piezoresistive.</font></p> <hr>     <p>&nbsp;</p> <font size="3" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">  <b>1. INTRODUCCIÓN </b></font>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">Los sensores y actuadores de reducidas dimensiones, como  acelerómetros, microbombas, micromembranas, piezoeléctricos, detectores de  infrarrojos, etc, que presentan como principal característica el responder a  una señal eléctrica y/o a una radiación de excitación, con una modificación de  su geometría, son elementos que en los últimos años, y gracias al avance de la  micromecánica y la mecanización del silicio, han venido a sumarse a los  sensores y actuadores tradicionales. [1-12] </font></p>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">Estos elementos poseen unas características de control  propias, por lo que su caracterización debe obedecer a alguna técnica fiable,  factible y de costo razonable. Se ha considerado que realizar un sistema que  permita la caracterización de dichos elementos, es del mayor interés, si cumple  con los requisitos que una buena caracterización requiere. [13] La magnitud de  la deflexión máxima que puede sufrir la membrana de silicio suele ser del orden de una decena de micras. El problema que  aquí se plantea es la medida de la deflexión, la cual se puede realizar  mediante diferentes técnicas, especialmente técnicas ópticas. Antes de  describirlas, se introducirán algunos conceptos fundamentales del método de  medida.</font></p>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">La deflexión de las membranas se consigue aplicando una  diferencia de potencial a la resistencia interna y se utiliza como principio de  actuación para la deflexión de las membranas mediante el calentamiento del aire  en la cavidad (membrana neumática).[14] Las técnicas ópticas que se describen  para medir la distribución de las deflexiones del sensor en forma de membrana  micro-mecanizada son: la interferometría de Michelson, el método de  triangulación óptica, el microscopio interferométrico y la interferometría por  fibra óptica. [15-20] Los montajes ópticos se pusieron a punto midiendo la  deflexión de una membrana termoneumática. Los resultados que se presentan se  obtuvieron utilizando la interferometría de Michelson.</font></p>     ]]></body>
<body><![CDATA[<p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">elementos, es del mayor interés, si cumple con los  requisitos que una buena caracterización requiere. [13] La magnitud de la  deflexión máxima que puede sufrir la membrana de silicio suele ser del orden de  una decena de micras. El problema que aquí se plantea es la medida de la  deflexión, la cual se puede realizar mediante diferentes técnicas,  especialmente técnicas ópticas. Antes de describirlas, se introducirán algunos  conceptos fundamentales del método de medida.</font></p>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">La deflexión de las membranas se consigue aplicando una  diferencia de potencial a la resistencia interna y se utiliza como principio de  actuación para la deflexión de las membranas mediante el calentamiento del aire  en la cavidad (membrana neumática).[14] Las técnicas ópticas que se describen  para medir la distribución de las deflexiones del sensor en forma de membrana  micro-mecanizada son: la interferometría de Michelson, el método de  triangulación óptica, el microscopio interferométrico y la interferometría por  fibra óptica. [15-20] Los montajes ópticos se pusieron a punto midiendo la  deflexión de una membrana termoneumática. Los resultados que se presentan se  obtuvieron utilizando la interferometría de Michelson.</font></p>     <p>&nbsp;</p>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b><font size="3">2. TÉCNICAS DE MEDIDA </font></b></font><font size="3"><b> </b></font></p> <font face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">     <p><font size="2">Existen básicamente tres categorías de técnicas de medida    que se pueden utilizar en la medida de pequeños desplazamientos: (a) Eléctricas:    capacitivas, piezoeléctricas, piezoresistivas, de corriente túnel y microondas.    (b) Magnéticas: Magnetización, magneto-elástica y de campo magnético externo.    (c) Ópticas: Técnicas de espacio libre y técnicas de guía de onda que utiliza  fibra óptica y dispositivos de óptica integrada [21].</font></p>     <p><font size="2">Sin lugar a dudas, la tecnología láser es la que mayor    precisión ofrece en aplicaciones metrológicas; en este sentido, se ha    considerado partir de técnicas bien conocidas para poder establecer las    mediciones adecuadas sobre cada tipo de microactuador. La utilización del laser    es ventajosa cuando su potencia es suficientemente baja (del orden de     1 a 3 mW), ya que no se ve    afectado el comportamiento del elemento sobre el cual incide el haz debido a    que este puede focalizarse con gran presicion (siempre y cuando, claro está,  que dicho elemento no tenga propiedades optoelectrónicas)</font></p>     <p><font size="2">Entre las técnicas ópticas empleadas para la medida de    desplazamientos submicrónicos la más conocida es la interferometría láser, la    cual suele emplearse en la medida de espesores y análisis de superficie.    [22-25] La interferometría proporciona precisiones por debajo de la longitud de    onda del láser que se emplea, es decir, por debajo de 0.5 µm cuando se utilizan    láseres dentro del espectro visible. No obstante, uno de los principales    inconvenientes de las técnicas interferométricas es que proporcionan una medida    indirecta del espesor o desplazamiento medido, ya que se deben contar el número    de interferencias (máximos y mínimos) de la señal obtenida para establecer la  distancia absoluta [26].</font></p>     <p><font size="2">En este sentido y con objeto de simplificar el procesado de    la señal obtenida es interesante emplear una técnica que proporcione una medida    directa del desplazamiento del objeto. El método de sensado (o de medida) se    refiere al proceso físico por el cual la respuesta de la estructura del sensor    es sensada y cuantificada. La naturaleza del método de sensado puede ser  óptica, capacitiva, piezoresistiva, etc.</font></p>     <p><font size="2">Cualquier método de medida tiene configuraciones    alternativas con diferentes grados de complejidad. Por ejemplo, en el sensor de    desplazamiento que usa la interferometría láser en lugar de usar una óptica en    espacio libre, se puede usar alternativamente fibra óptica u óptica integrada.    Como parte del método de medida se incluyen todos los elementos que están    involucrados en el proceso de sensar. Por ejemplo, en el sensor de    desplazamiento de la <a href="#fig01">Figura 1</a>, el    fotodetector, la fuente láser, y posiblemente un espejo sobre el diafragma, son    considerados como los elementos del método de medida. Foto detector pinhole es    un foto detector de defectos puntiformes (dispositivo fotoeléctrico que revela    la presencia de agujeros sumamente pequeños y otras imperfecciones diminutas en  un material en movimiento).</font></p>     <p align="center"><font size="2"><b><a name="fig01"></a><img src="/img/revistas/dyna/v76n158/a16fig01.gif">    ]]></body>
<body><![CDATA[<br>   Figura 1</b>. Montaje desarrollado para    la medida de la deflexión de la membrana de Si    <br> </font><font size="2"><b>Figure  1.</b> Experimental set-up to measure the Si membrane deflection</font></p> <font size="2"><b>2.1 Técnicas Capacitivas</b>    <br>  Las técnicas capacitivas, como su nombre lo indica, se basan  en la medida del cambio en la capacitancia entre dos electrodos cuando uno de  ellos se desplaza o deforma debido a la fuerza aplicada. El tamaño y geometría  de los electrodos depende de la aplicación particular, pero usualmente el  sensor se compone de un condensador de dos placas paralelas. Hay diferentes  formas de medir el cambio inducido en una capacitancia.     <p>Por ejemplo, se puede medir con un puente de impedancia, un  oscilador controlado por un capacitor o un circuito de medida de carga. Algunos  componentes eléctricos de esos esquemas suelen considerarse como parte del sensor  ya que ellos son una característica particular de   la técnica. Otros  componentes como amplificadores, filtros, etc., son comunes a todos los  esquemas y no se consideran como parte del sensor en sí mismo.</p>      <p>A manera de ejemplo esta técnica se ilustra en la <a href="#fig02">Figura 2</a>,  la cual corresponde un sensor infrarrojo miniaturizado basado en el principio  de la celda de Golay desarrollado en la Universidad de Osaka, Japón. A la izquierda aparecen los niveles de los que  consta este prototipo y a la derecha se ve la sección transversal del  dispositivo. El sensor consta de una cámara de gas y un capacitor plano  paralelo.</p>      <p align="center"><b><a name="fig02"></a><img src="/img/revistas/dyna/v76n158/a16fig02.gif">    <br>   Figura 2.</b> Sensor infrarrojo y de  gases basado en el principio de la celda de Golay [27]    <br>  <b>Figure 2.</b> Infrared and gas  sensor based on the Golay cell principle [27]</p>      <p>En la <a href="#fig02">figura 2</a> se observa que:</p>  </font></font> <ol>       <li><font face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><font size="2">La capa superior es la ventana que permite el sellado de     la cámara de aire obtenida mediante el ataque anisotrópico en una oblea de     silicio. En este caso el ataque se detiene gracias al dopado p+ con boro de la     capa superficial de silicio, obteniéndose una membrana de sólo 0.6 µm de     grosor; su tamaño es de 3.3x3.3 mm. </font></font></li>       ]]></body>
<body><![CDATA[<li><font face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><font size="2">La misma membrana de silicio que esta ligeramente dopada     sirve como uno de los electrodos del condensador que se fabrica. El otro     electrodo se obtiene evaporando aluminio sobre un substrato de vidrio. </font></font></li>       <li><font face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><font size="2">la     separación de las placas del condensador se consigue depositando una capa de     polimida de 3 µm de grosor convenientemente grabada. Cualquier variación de     presión en el interior de la cámara de aire por absorción infrarroja provocará     una variación de volumen en la separación de las placas del condensador y por     consiguiente en la capacitancia del mismo de acuerdo a la expresión:</font></font></li>     </ol>     <blockquote>       <p><font face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><font size="2"><sub><img src="/img/revistas/dyna/v76n158/a16eq002.gif"></sub> (1)</font></font></p> </blockquote> <font face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><font size="2">     <p>Siendo g la separación inicial entre los   electrodos del condensador y <i>w(x,y)</i> la deformación de la membrana cuadrada de lado <i>a</i>. En este caso, las deflexiones de la membrana son del orden de 1 mm que producen variaciones de   capacidad del orden del 10% frente a una capacidad inicial del orden de 30 pF. Si la cámara de aire se encuentra llena con   un gas específico, tolueno o acetona en este caso, el sensor es sensible sólo a   la presencia de ese mismo gas en el exterior. Si bien es menos selectivo, el   mismo efecto se puede conseguir llenando la cámara de aire normal y ayudándonos   de filtros interferenciales centrados en las bandas de absorción de los gases   de interés. Una combinación de sensores de este tipo permitiría analizar una mezcla de gases.[28]</p> <b>2.2 Técnicas Piezoresistivas</b>    <br> En esta técnica un material piezoresistivo, cuya  resistividad es una función del estrés interno, se deposita sobre la estructura  del sensor. El silicio dopado excesivamente es piezoresistivo. Los sensores  piezoresistivos han sido estudiados ampliamente para el sensado de   la presión. Estos  sensores constan de un diafragma (de silicio) con un elemento piezoresistivo.  La deformación del diafragma causada por la diferencia de presión sobre sus  lados induce estreses sobre los elementos piezoresistivos los cuales producen  una señal detectable en la circuiteria de lectura de la señal.[29-30] Datos  publicados sobre sensores de presión han mostrado que se puede alcanzar una  sensitividad más alta con sensores capacitivos y con los piezoresistivos. Por  otro lado, la resolución del circuito es mucho mejor para sensores  piezoresistivos.     <p>Un estudio teórico del ruido en sensores capacitivos y    piezoresistivos ha mostrado que para presiones idénticas a gran escala, y áreas    de diafragmas pequeñas, los sensores piezoresistivos tienen el límite teórico    más pequeño para la señal mínima detectable pero los sensores capacitivos    muestran mejor estabilidad en periodos grandes, lo cual lo hace superior para    algunas aplicaciones. Sin embargo, ambos tipos de sensores tienen límites en la    resolución teórica por debajo de los valores experimentales. Una ventaja de    este tipo de medida es que es tecnológicamente integrable con     la cavidad. La desventaja    que se puede plantear es que la electrónica necesaria para la lectura de la variación de la capacidad puede no ser inmune al ruido eléctrico. La <a href="#fig03">Figura 3</a> muestra un sensor que combina las dos técnicas: capacitiva y piezoresistiva.</p> </font></font>     <p align="center"><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b><a name="fig03"></a><img src="/img/revistas/dyna/v76n158/a16fig03.gif">    <br>   Figura 3.</b> Sensor de presión piezoresistivo con actuación  electrostática de la membrana    ]]></body>
<body><![CDATA[<br> </font><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b>Figure  3.</b> Piezoresistive pressure sensor with an electrostatically actuated membrane</font></p> <font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b>2.3 Técnicas Ópticas    <br> </b></font><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">Podemos distinguir entre técnicas que nos proporcionan una  medida directa de la distancia o desplazamiento del objeto, como la  triangulación o el tiempo de vuelo, y técnicas indirectas como la  interferometría y sensibilidad de la amplitud. Ésta última es conocida por su  gran sensibilidad y utilidad cuando se necesitan medir distancias o incrementos  inferiores a   la micra. Las  técnicas interferométricas son ampliamente usadas por su gran resolución. Las  técnicas de amplitud sensitiva, de otro lado, son simples pero requieren  calibración durante su ciclo de operación. Si bien no todas las técnicas ópticas necesitan de radiación coherente, esto si es necesario en las técnicas  interferométricas. </font>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">La utilización de la fibra óptica presenta un valor añadido  y es la posibilidad de efectuar medidas remotas. La fibra es meramente un medio  para canalizar la radiación óptica hacia el sensor y de regreso hacia la  electrónica de procesado, la cual puede realizarse en un ambiente libre de  ruido eléctrico. Los límites fundamentales de un método de medida óptico son  establecidos por la difracción y el ruido de disparo fotónico. En las técnicas  ópticas se emplean diferentes tipos de fotodetectores, incluyendo los  fotoconductores, los fototransistores, los diodos PIN, los fotodiodos de  avalancha y los fotomultiplicadores.</font></p>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">Debido a  que las técnicas ópticas fueron las seleccionadas para el desarrollo  experimental con las membranas, en el siguiente apartado se detallan un poco  más dichas técnicas. </font></p>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><i><b>2.3.1 Tiempo de vuelo y medida de fase</b>    <br> </i></font><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">Son técnicas bien conocidas y aplicadas, sobre todo a grandes   distancias. La técnica de tiempo de vuelo consiste en medir el tiempo de   retraso entre un pulso de luz y el rebotado por el objeto a medir. A mayor   potencia del pulso de luz mayor será la fracción rebotada por el objeto y que   alcanza al telémetro (<a href="#fig04">Figura 4</a>). Pulsos de luz de unos cuantos vatios de   potencia generados por diodos láser permiten efectuar medidas en el rango de   kilómetros con precisiones del orden de metros. La técnica de la diferencia de   fase es muy similar, donde se mide el desfase entre la señal moduladora del   láser y la señal de retorno reflejada por el objeto. La frecuencia de   modulación es inversamente proporcional a la distancia a medir; objetos a   distancias del orden de metros necesitarían frecuencias de modulación de cientos de MHz. </font></p>     <p align="center"><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b><a name="fig04"></a><img src="/img/revistas/dyna/v76n158/a16fig04.gif">    <br>   Figura 4.</b> Concepto de la medida de tiempo de vuelo y  medida de fase    <br> </font><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b>Figure  4.</b> Concept of measuring the flying time and phase</font></p>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><i><b>2.3.2 Triangulación</b>    ]]></body>
<body><![CDATA[<br> </i></font><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">Es una técnica muy apropiada para rangos de distancias más  próximos, entre centímetros y algunos metros. Según la geometría de la <a href="#fig05">Figura  5</a>, consiste en determinar la posición sobre un sensor de la proyección de un  punto luminoso sobre el objeto, el cual requiere propagación en el espacio libre. </font></p>     <p align="center"><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b><a name="fig05"></a><img src="/img/revistas/dyna/v76n158/a16fig05.gif">    <br>   Figura 5.</b> Geometría de un sistema de triangulación  óptica    <br> </font><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b>Figure  5.</b> Geometry of a triangulation system</font></p>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">Entre las desventajas de la triangulación se tiene la  no-linealidad, es decir, el movimiento del objeto en incrementos iguales, la  posición de su imagen sobre el sensor no se mueve en incrementos iguales. No  obstante, para rangos pequeños podemos considerarlo lineal.</font></p>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">Un haz láser colimado sale reflejado de la superficie de la  muestra y se detecta usando un fotodetector pinhole. Asumimos que el haz láser  colimado se refleja con un ángulo oblicuo desde la superficie de   la muestra. Un espejo  relativamente grande (más grande que la anchura del haz láser en la reflexión)  se necesita si las dimensiones de la muestra son pequeñas comparadas con el  diámetro del haz láser para evitar efectos de difracción indeseables.</font></p>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><i><b>2.3.3 Interferometría</b>    <br> </i></font><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">La interferometría óptica es un fenómeno basado en la  naturaleza ondulatoria de la luz que permite realizar medidas precisas de las  formas o de las distancias, ya que proporciona una resolución extraordinaria y  no requiere un contacto físico directo con la superficie sometida a estudio.  Cabe recordar que la expresión matemática que describe la perturbación óptica  es una ecuación diferencial parcial homogénea de segundo orden y obedece al  principio de superposición. La interferencia óptica se puede decir que es una  interacción de dos o más ondas de luz que producen una intensidad resultante, la cual se desvía de la suma de las intensidades componentes.</font></p>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">El  principio fundamental de la interferometría consiste en la interacción o  interferencia entre dos ondas luminosas que se encuentran una con otra, de  forma parecida a lo que sucede cuando se encuentran dos ondas superficiales en  el agua. En cualquiera de estos casos, cuando la cresta de una onda coincide  con el valle de la otra, la interferencia es destructiva y las ondas se anulan.  Cuando coinciden las dos crestas o los dos valles, las ondas ser refuerzan  mutuamente. En la <a href="#fig06">Figura 6</a> se observa que la interferencias e constructiva.</font></p>     <p align="center"><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b><a name="fig06"></a><img src="/img/revistas/dyna/v76n158/a16fig06.gif">    ]]></body>
<body><![CDATA[<br>   Figura  6.</b> Principio de superposición. Cuando se presenta la  interferencia, las ondas se suman constructiva o destructivamente    <br> </font><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b>Figure 6.</b> Superposition principle. If occurs </font><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">interference waves add constructively or destructively</font></p>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">La interferometría se utiliza en ciertas aplicaciones de  control de calidad y ha permitido reducir el coste y mejorar el funcionamiento  de productos muy diversos, desde películas fotográficas hasta cintas magnéticas  y disquetes.</font></p>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">La principal ventaja del Interferómetro de Michelson sobre  las primitivas técnicas de producir interferencias es que los dos haces están  ampliamente separados, pudiéndose variar la diferencia de recorrido ya sea  moviendo uno de los espejos o introduciendo una sustancia refringente en la  trayectoria de uno de los haces.</font></p>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">Los interferómetros pueden dividirse en dos clases:</font></p> <ol>       <li><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">Los basados en la división del frente de onda: En este     caso se usan porciones del frente de onda primario bien sea directamente como     fuentes para emitir ondas secundarias o conjuntamente con sistemas ópticos para     producir fuentes virtuales de ondas secundarias. Entonces, se hace que se     encuentren estas ondas secundarias para interferir. Por ejemplo: Biprisma de     Fresnel, espejos de Fresnel, espejo de Lloyd.</font></li>       <li><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"> Los que se fundamentan en la división de la     amplitud: En este caso la onda primaria se divide en dos segmentos los cuales     viajan por diferentes caminos antes de recombinarse e interferir. </font></li>     </ol>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">Dentro de la gran cantidad  de interferómetros de división de amplitud el más conocido de todos, e  históricamente el más importante, es el Interferómetro de Michelson. Su  configuración se ilustra en la <a href="#fig07">Figura 7</a>. </font></p>     <p align="center"><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b><a name="fig07"></a><img src="/img/revistas/dyna/v76n158/a16fig07.gif">    ]]></body>
<body><![CDATA[<br>   Figura 7</b>. Descripción de la  interferometría de Michelson    <br> </font><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b>Figure 7.</b> Michelson interferometry description</font></p>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">Una fuente luminosa (la cual  puede ser un láser o una placa difusora de vidrio esmerilado iluminada por una  lámpara de descarga) emite una onda, parte de la cual viaja hacia   la derecha. El espejo  semiplateado (Un <i>espejo semiplateado</i> es semitransparente porque el  recubrimiento metálico es muy delgado para ser opaco. Se puede ver a través de  él y al mismo tiempo puede observarse por reflexión. Los <i>divisores de haz,</i> como se llaman estos dispositivos, se pueden hacer de películas de plástico  delgadas estiradas conocidas como <i>películas</i> de placas de vidrio sin  recubrir) en O divide la onda en dos, una parte viajando a la derecha y otra  hacia arriba al fondo. Las dos ondas serán reflejadas por los espejos M1 y M2 y  regresadas al divisor de haz. Parte de la onda que viene de M2 pasa a través  del divisor de haz hacia abajo y parte de la onda proveniente de M1 es desviada  por el divisor de haz hacia el detector. Por lo tanto, las ondas se unen y es  posible que se produzca interferencia. </font></p>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">Obsérvese que un haz pasa a través de O tres veces mientras  que el otro pasa una sola vez. En consecuencia, cada haz cruzará igual espesor  de vidrio únicamente cuando una placa compensadora C se introduzca en el brazo  OM1. El compensador es un duplicado exacto del divisor de haz con la excepción  de un posible plateado o recubrimiento por una película delgada sobre el  divisor de haz. Este último es colocado a un ángulo de 45° tal que O y C sean  paralelas una respecto a   la  otra. Con el compensador en su lugar cualquier diferencia de  camino óptico aparece de la diferencia de camino real. Además, debido a la  dispersión del divisor de haz, el camino óptico es una función de &#955;. Para  trabajo cuantitativo, el interferómetro sin la placa compensadora puede ser  usado con una fuente cuasimonocromática. La inclusión del compensador niega el  efecto de dispersión de tal modo que aún una fuente con ancho de banda grande  puede llegar a generar franjas observables [31].</font></p> <font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b>2.4 Descripción De Las Membranas    <br> </b></font><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">La <a href="#fig08">Figura 8</a> muestra la membrana termo-neumática, montada sobre un soporte de goma y luego  sobre uno de aluminio para facilitar su manipulación experimental, propuesta  para ser utilizada en la cavidad de bombeo de la microbomba de gran aplicación  en microfluídica. La membrana actúa sobre el fluido provocando el movimiento de  este. La <a href="#fig09">Figura 9</a> presenta las vistas superior (alúmina) e inferior (silicio)  de la membrana mostrada en la <a href="#fig08">Figura 8</a>, respectivamente [32]. </font>     <p align="center"><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b><a name="fig08"></a><img src="/img/revistas/dyna/v76n158/a16fig08.gif">    <br>   Figura   8.</b> Membrana   termoneum&aacute;tica    <br> </font><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b>Figure 8.</b> Thermoneumatic membrane</font></p>     <p align="center"><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b><a name="fig09"></a><img src="/img/revistas/dyna/v76n158/a16fig09.gif">    <br>   Figura   9.</b> Vista superior (al&uacute;mina), vista inferior </font><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">(silicio)    ]]></body>
<body><![CDATA[<br>    </font><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b>Figure 9.</b> Top view (alumina), bottom view (silicon)</font></p>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">Para implementar el arreglo óptico se ha utilizado una  membrana de silicio actuada termoneumáticamente cuyas dimensiones son: área  4000x4000 µm, 14 µm de grosor y una cavidad de actuación de 300 µm. Una  resistencia dentro de la cavidad calienta el aire y luego expande   la membrana. La  resistencia es de Ta2N. Se aplicó una diferencia de potencial de 3v. A  continuación se describe la membrana que se han fabricado y caracterizado de  modo interferométrico y mediante otros métodos (triangulación e interferometría  por fibra óptica). </font></p>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">Las membranas se  han obtenido mediante ataque anisotrópico de obleas de silicio mediante KOH, se  han construido en el Instituto de Microelectrónica de Barcelona (Centro  Nacional de Microelectrónica). La <a href="#fig10">Figura 10</a> muestra el abombamiento de  la membrana causado por la temperatura, lo cual indica su sensitividad como  respuesta al medio ambiente. Esta foto se tomó bajo las rejillas de un  luminaria fluorescente y en ella se observa que los cuadros de la rejilla que  coinciden con la región deformada de la membrana se hacen más grandes y distorsionados,  mientras que los que se encuentran en la periferia se ven completamente  normales.</font></p>     <p align="center"><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b><a name="fig10"></a><img src="/img/revistas/dyna/v76n158/a16fig10.gif">    <br>   Figura  10.</b> Detalle del abombamiento de la membrana debido a la  temperatura ambiente    <br> </font><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b>Figure 10</b>. Detail of the membrane  deformation due to the ambient temperature</font></p>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">La <a href="#fig11">Figura 11</a> es un diagrama esquemático del experimento.  Comparando este montaje con el interferómetro de Michelson (<a href="#fig07">Figura 7</a>) se tiene  que: la fuente es un láser de He-Ne, el detector es </font><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">una cámara CCD, M1 es la membrana, M2 es el espejo y las  lentes O y C forman el Beam Splitter.</font></p>     <p align="center"><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b><a name="fig11"></a><img src="/img/revistas/dyna/v76n158/a16fig11.gif">    <br>   Figura  11.</b> Diagrama esquemático del experimento    <br> </font><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b>Figure  11. </b>Schematic  diagram of the experiment</font></p>     ]]></body>
<body><![CDATA[<p>&nbsp;</p>     <p><font size="3" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b>3. RESULTADOS </b></font><font face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"> </font></p> <font face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">     <p><font size="2">Para la medida del desplazamiento con respecto a la potencia    aplicada a la resistencia calefactora se proporcionaron unidades de actuación    constituidas por el substrato de silicio (con la membrana), la alúmina y la    resistencia calefactora incluyendo los contactos eléctricos externos. La    iluminación se hace con una onda monocromática de un láser de He-Ne con una    longitud de onda de 0.633µm (633 nm). Un divisor de haces (el Beam Splitter)    produce el haz de referencia y el haz test. Este último haz incide    perpendicularmente a     la    membrana. La deflexión de la membrana produce una diferencia    en el camino óptico el cual resulta en una diferencia de fase entre las ondas y    se observan bordes oscuros y brillantes. Como se ilumina toda la superficie y    cada punto de la membrana presenta una deflexión diferente, el resultado es una    imagen bidimensional de interferencias que se pueden observar con una cámara  CCD, como se muestra en la <a href="#fig12">Figura 12</a>.</font></p>     <p align="center"><font face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><font size="2"><b><a name="fig12"></a><img src="/img/revistas/dyna/v76n158/a16fig12.gif">    <br>   Figura 12.</b> Imagen de interferencia de la deflexi&oacute;n    <br>       <b>Figure 12.</b> Image of the interferente due to deflection</font></font></p>     <p><font size="2">Los anillos aparecen desde el punto central debido a que   éste tiene la mayor deflexión en cada instante de tiempo. La distancia entre   dos bordes corresponde a &#955;/2 = 0.316µm, de esta manera obtenemos precisión   del orden de las micras.</font></p>     <p><font size="2">Los resultados de la medición de la deflexión de la membrana    muestran imágenes de interferencia como en     la <a href="#fig12">Figura 12</a>. La forma de los anillos se debe a que    el punto de máxima deflexión está en el centro de la membrana. Estas    imágenes se capturaron con una cámara CCD y se grabaron en un vídeo. Luego, con    un sistema TV-Vídeo podemos contarlos y medir el tiempo de formación. La <a href="#fig13">Figura 13</a> muestra la    interpretación de datos numéricos de la deflexión de la membrana obtenida de la    imagen de interferencia. En los primeros cinco minutos la formación de anillos    ocurrió de dentro hacia fuera obteniéndose la curva con pendiente positiva.    Inmediatamente después, la formación de anillos fue desde afuera hacia adentro    y se obtuvo la curva con pendiente negativa. De la <a href="#fig13">Figura 13</a> se puede obtener    información de la deformación de la membrana, por ejemplo: la deflexión de la  membrana de 19 µm con un tiempo de 60s y 31 µm con un tiempo de 120s. </font></p> </font>     <p align="center"><font face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><font size="2"><b><a name="fig13"></a><img src="/img/revistas/dyna/v76n158/a16fig13.gif">    <br>   Figura 13.</b> Interpretación de los datos   numéricos </font></font>       ]]></body>
<body><![CDATA[<br>   <font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b>Figure     13.</b> Interpretation of the numerical data</font></p>     <p>&nbsp;</p>     <p><font size="3" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b>4. CONCLUSIONES</b></font></p>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif">Se han presentado un diseño experimental para la medida de  la distribución de desplazamientos en una membrana termo-neumáticas. Al  analizar la técnica descrita se pueden sacar las siguientes conclusiones:</font></p>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"> En el  interferómetro de Michelson se usaron: la visibilidad de los anillos de  interferencia en función de la distancia entre las membranas y bombilla, al  igual que la distancia entre las membranas y la fuente, para encontrar el  desplazamiento.</font></p>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"> Entre las ventajas  que ofrece el interferómetro de Michelson se pueden destacar: realiza medidas  dinámicas, se realizan estudios de superficies en 3-D (topografías) y es  automatizable.</font></p>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"> Las desventajas que  presenta son: las superficies en estudio deben estar muy limpias, el banco  óptico debe estar totalmente alejado de cualquier ruido o vibración mecánica  posible ya que es muy sensible a este tipo de interferencias, proporciona  medidas indirectas (conteo de anillos). </font></p>     <p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"> El método en el que  se usó el interferómetro de Michelson es el que mejor se adapta a las  condiciones experimentales que se encontraron el Departamento de Electrónica de  la U. de  Barcelona. </font></p>     <p>&nbsp;</p>     <p><font size="3" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b>REFERENCIAS</b></font></p>     ]]></body>
<body><![CDATA[<!-- ref --><p><font size="2" face="Verdana, Arial, Helvetica, sans-serif"><b> [1]</b> EATON, W. & SMITH, J. Micromachined pressure sensors: review and recent developments. Smart Mater. Struct. 6, 530 – 539. 1997.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000123&pid=S0012-7353200900020001600001&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><br>   <b>[2]</b> HOLMES, D., GREEN, N. & MORGAN, H. Microdevices for dielectrophoretic flow-through cell separation. IEEE in Medicine and Biology Magazine 22, 85 - 90. 2003.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000124&pid=S0012-7353200900020001600002&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><br>     <b>[3]</b> HOUMMADI, L., CAMPITELLI, A. & WLODARSKI, W. Acoustic wave sensors: design, sensing mechanisms and applications. Smart Mater. Struct. 6, 647 - 657. 1997.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000125&pid=S0012-7353200900020001600003&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><br>     <b>[4]</b> KIM, J., VARADAN, V. & BAO, X. Finite element modeling of a smart cantilever plate and comparison with experiments. Smart Mater. Struct. 5, 165 - 170. 1996.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000126&pid=S0012-7353200900020001600004&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><br>     <b>[5]</b> REBELLO, K. Applications of MEMS in surgery. Proceedings of the IEEE 92, 43 – 55. 2004.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000127&pid=S0012-7353200900020001600005&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><br>     <b>[6]</b> CAJDA, M.A. Application of termal sisliconsemsor membranes. Sensor and actuators. 1-9. 1995.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000128&pid=S0012-7353200900020001600006&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><br>     <b>[7]</b> BAUER, M.F. Respuestas de placas elàsticas a exitaciones pulsadas. Journal Applied mechanics. 1968.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000129&pid=S0012-7353200900020001600007&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><br>     <b>[8]</b> MARCEL, J.E. GOLAY. A Pneumatic infrared detector.The review of Scientific Instruments. 357-359-361. 1947.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000130&pid=S0012-7353200900020001600008&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><br>     <b>[9]</b> ROSSEMBERG, D. Silicon micromachined sensor with tunable wavelenth selectivity for applicationin infrared spedtroscopy. Sensor and actuators. 413-416. 1995.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000131&pid=S0012-7353200900020001600009&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><br>     <b>[10]</b> BAUER, S. Inteference efects of thermal wave and applications to bolometers and piroelectrics detectors. Sensor and actuators. 417-421. 1991.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000132&pid=S0012-7353200900020001600010&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><br>     <b>[11]</b> YANG, Y. A thermally actuated micropump. Sensor and Actuators. 534. 1995     &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000133&pid=S0012-7353200900020001600011&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><br>     <b>[12]</b> FRANS, J. A silicon microvalvule whit integrated flow sensor.. Pàg 313-316. 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Sensor and Actuators. 139-143. 1989.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000136&pid=S0012-7353200900020001600014&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><br>     <b>[15]</b> BREEN, S. et al; Fiber optic displacement sensor with subangstrom resolution; Applied Optics; 29, 1990.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000137&pid=S0012-7353200900020001600015&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><br>     <b>[16]</b> BANK, D., SANDOVAL, F. Reflection and transmisión interference filtre. Journal Optical Society Physics. 451-465. 1947.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000138&pid=S0012-7353200900020001600016&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><br>     <b>[17]</b> THOUVENNIN. White light interferometric porfilometirc a power full technique for the control micromechanical devices deformation and fabrication. Mime`99 Gifsur Yvette France. 59-62. 1999.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000139&pid=S0012-7353200900020001600017&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><br>     <b>[18]</b> PUTMAN, C. A detalled of the analysis of the optical beam deflection technique for use in atomic force microscopy. Applied Physics. 6-11. 1992.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000140&pid=S0012-7353200900020001600018&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><br>     <b>[19]</b> OSAMU, T. Mechanical property measurement of thin films using load deflection Sensor and Actuators. 135-140. 1989.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000141&pid=S0012-7353200900020001600019&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><br>     <b>[20]</b> YAMA, K. Miniaturized infrared sensor using silicon diaphragm bases on golay cell. Sensor and Actuators. 29-32. 1998.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000142&pid=S0012-7353200900020001600020&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><br>     <b>[21]</b> TABIB-AZAR, M. et al. Sensing means and sensor shells: a new method of comparative study of piezoelectric, piezoresistive, electrostatic, magnetic, and optical sensors. Sensors and Actuators. 48 87-100. 1995.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000143&pid=S0012-7353200900020001600021&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><br>     <b>[22]</b> HILSUN, C. Infrared absortion of thin metal films. Journal Optical Society Physics. 188-191. 1954.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000144&pid=S0012-7353200900020001600022&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><br>     <b>[23]</b> CHEVRIET, J.B. An infrared pneumatic detector made by micromachining tecnoloogy. Micromechaning. 193-195.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000145&pid=S0012-7353200900020001600023&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><br>     <b>[24]</b> MARCEL J.E. GOLAY. The theoretical and practical sentivity of the pneumatic infrared detector The review of scientific instruments.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000146&pid=S0012-7353200900020001600024&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><br>     <b>[25]</b> TABATA, O., KAWAHATA, K. Medidas de propiedades mecanicas de película delgada utilizando cargar reflexion de membranas rectangulares. Sensor and Actuators. 135-141. 1998.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000147&pid=S0012-7353200900020001600025&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><br>     <b>[26]</b> DOMINGO, J., DUARTE, J.E., MORENO, M., PUIG- VIDAL, M. & SAMITIER, J. Caracterización automática de pequeños actuadores por láser. Proc. Seminario Anual de Automática, Electrónica Industrial e Instrumentación SAAEI`00, Cataluña, España, 253-256. 2000.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000148&pid=S0012-7353200900020001600026&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><br>     <b>[27]</b> YAMASHITA, K. Miniaturized infrared sensor using silicon diaphragm based on Golay cell. Sensor and Actuators. 29-32. 1998.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000149&pid=S0012-7353200900020001600027&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><br>     <b>[28]</b> GORAN, L.R. A new theoretycal model of the optoacustic gas concentration detector. Infrared Physics. 109-121. 1973.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000150&pid=S0012-7353200900020001600028&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><br>     <b>[29]</b> PANCEWIEZA, T. The empirical verfication of the fem model of semi conductor pressure sensor. Sensor and actuators. 260-265. 1999.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000151&pid=S0012-7353200900020001600029&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><br>     <b>[30]</b> MARCO S. Optimización de sensores de presión piezorresistivos de silicio para instrumentación biomédica y aplicaciones a alta temperatura. PhD. Dissertation, University of Barcelona, Barcelona, Spain. 1993.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000152&pid=S0012-7353200900020001600030&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><br>     <b>[31]</b> HECHT, E. et al. Óptica. Edición en Español del Fondo Educativo Interamericano, S.A., 305.    &nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000153&pid=S0012-7353200900020001600031&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --><!-- ref --><br>     <b>[32]</b> CARMONA, M. Modelización y test de micromembranas: Aplicación a componentes de microfluídica. Tesis Doctoral, Departamento de Electrónica, Universidad de Barcelona, Barcelona, España, Mayo de 2000. </font>&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;&nbsp;[&#160;<a href="javascript:void(0);" onclick="javascript: window.open('/scielo.php?script=sci_nlinks&ref=000154&pid=S0012-7353200900020001600032&lng=','','width=640,height=500,resizable=yes,scrollbars=1,menubar=yes,');">Links</a>&#160;]<!-- end-ref --> ]]></body><back>
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